实验表明，使用 AMD Ryzen 处理器的 3D V-Cache 作为 RAM 盘是可能的。您可能已经猜到，这种 RAM 磁盘速度极快，顺序读取和写入速度比最好的 PCIe 5.0 SSD 快十倍以上。
实验从冷却专家 Albert Thomas(来自Tom's Hardware)拍摄的一张不寻常的快照开始，该快照显示了一个声称容量为 508MB 的 RAM 磁盘。该光盘在 CrystalDiskMark 中的连续读写速度约为 178GB/s 和 163GB/s。
最初，这一说法遭到了质疑，因为它需要将 L3 缓存暴露为块存储设备来执行 CrystalDiskMark 测试，并且声称的容量大于处理器上的 L3 缓存(96MB)。然而，似乎有一种方法可以将 3D V-Cache 用作 RAM 磁盘。
正如Nemez在 2 月份所解释的那样，您可以使用 OSFMount 从 3D V-Cache 中创建 RAM 光盘。为了使其正常工作，RAM 磁盘应格式化为 FAT32，测试变量应设置为 SEQ 256KB、队列深度 1 和线程 16。此外，数据填充应设置为零。由于系统负载的性质，该过程可能需要多次尝试才能获得最佳结果。
虽然这个实验很有趣，但由于缺乏访问 3D V-Cache 的一致机制，它对于现实应用程序来说并不实用。此外，该过程并不完善，并且涉及反复试验。除此之外，可用的 3D V-Cache 数量太小，无法用作可靠的存储设备。它在 Genoa-X EPYC 处理器上可能更可行，该处理器配备最大 1.3GB 的 L3 缓存。